Открыть меню

В России разрабатывают магниторезистивную память STT-MRAM





Московский физико-технический институт (МФТИ) и компания «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) начали совместную исследовательскую программу по разработке технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM. Предполагается наладить выпуск памяти STT-MRAM на мощностях «Крокус НаноЭлектроники» в России. КНЭ располагает производственной линией с техпроцессом 90/65 нм на пластинах диаметром 300 мм.

Разработкой магниторезистивной памяти MRAM, идущей на смену оперативной памяти DRAM, занимаются и зарубежные компании. В отличие от DRAM, где для сохранения информации используются электрические заряды, MRAM основана на переносе магнитных моментов. Технология STT-MRAM использует для перезаписи ячеек памяти перенос спина, что позволяет уменьшить величину тока и использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и даже меньше.

«Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление», — заявил генеральный директор «Крокус НаноЭлектроника» Олег Сютин.





Виджет от SocialMart


Оригинал материала



Нет комментариев

Добавить комментарий

12385